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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
差异
规格
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差异
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
14.8
19.1
写入速度,GB/s
8.7
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3040
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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