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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
14.8
18.1
写入速度,GB/s
8.7
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3061
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Frequency (Mhz) *
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