RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.8
14.7
写入速度,GB/s
8.7
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2244
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link