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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Kingston 9965640-015.A00G 32GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
14.8
9.5
写入速度,GB/s
8.7
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2354
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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