RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

总分
star star star star star
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

总分
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 39
    左右 8% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 8.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 11.5
  • 写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2481 left arrow 1881

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
内存RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
内存RAM