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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
14.8
15.8
写入速度,GB/s
8.7
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2902
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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