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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
14.8
16.5
写入速度,GB/s
8.7
14.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3506
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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