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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
46
读取速度,GB/s
14.8
10.5
写入速度,GB/s
8.7
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2368
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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