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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
46
读取速度,GB/s
14.8
10.5
写入速度,GB/s
8.7
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2368
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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