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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
14.8
20.1
写入速度,GB/s
8.7
16.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3778
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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