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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
55
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
55
读取速度,GB/s
14.8
9.4
写入速度,GB/s
8.7
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2230
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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