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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
AMD R7S44G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
20
读取速度,GB/s
12.4
18.9
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2707
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
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