RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
12.4
12.8
写入速度,GB/s
7.5
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2353
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link