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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

总分
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

总分
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 28
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    12.4 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2014 left arrow 3632

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
内存RAM
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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