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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.4
17.0
写入速度,GB/s
7.5
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3422
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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