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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
31
读取速度,GB/s
3,726.4
15.7
写入速度,GB/s
1,590.1
9.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2817
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
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