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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
34
读取速度,GB/s
10.6
15.2
写入速度,GB/s
6.8
13.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3294
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
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