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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.4
14.9
写入速度,GB/s
7.5
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2831
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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