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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.4
9.3
写入速度,GB/s
7.5
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2107
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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