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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.4
13.6
写入速度,GB/s
7.5
6.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2120
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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