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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
42
读取速度,GB/s
12.4
15.7
写入速度,GB/s
7.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2737
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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