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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
12.3
19.2
写入速度,GB/s
8.9
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3865
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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