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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
40
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3865
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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