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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.0
13.0
写入速度,GB/s
7.8
6.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1931
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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