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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
47
读取速度,GB/s
12.4
11.6
写入速度,GB/s
7.5
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2537
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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