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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比较
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
总分
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
11.5
19.5
写入速度,GB/s
6.7
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1857
3355
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
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