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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.9
16.6
写入速度,GB/s
8.7
10.9
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2848
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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