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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
12.4
14.3
写入速度,GB/s
7.5
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2159
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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