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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.4
14.6
写入速度,GB/s
7.5
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2199
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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