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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
62
读取速度,GB/s
12.4
16.1
写入速度,GB/s
7.5
6.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
1586
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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