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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

总分
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 28
    左右 -47% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.4 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    12.4 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2014 left arrow 3397

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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内存RAM
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