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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
30
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
22
读取速度,GB/s
10.6
18.1
写入速度,GB/s
6.8
13.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3256
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
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