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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
76
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
76
读取速度,GB/s
17.4
14.4
写入速度,GB/s
10.9
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1718
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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