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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,025.3
17.4
写入速度,GB/s
2,107.0
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2624
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB
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Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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