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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
15.3
17.7
写入速度,GB/s
9.8
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3237
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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