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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
27
读取速度,GB/s
17.4
18.2
写入速度,GB/s
10.9
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3538
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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