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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
31
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
22
读取速度,GB/s
17.4
17.7
写入速度,GB/s
10.9
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3237
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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