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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
36
读取速度,GB/s
17.4
15.7
写入速度,GB/s
10.9
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3035
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
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