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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,168.0
14.6
写入速度,GB/s
1,855.7
7.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2183
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
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