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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
18.1
写入速度,GB/s
2,622.0
16.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3606
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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