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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
3,325.1
15.7
写入速度,GB/s
1,441.2
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2779
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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