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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
27
读取速度,GB/s
17.4
20.0
写入速度,GB/s
10.9
17.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3815
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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