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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
31
左右 -29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
24
读取速度,GB/s
17.4
16.8
写入速度,GB/s
10.9
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3009
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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