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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
31
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
24
读取速度,GB/s
17.4
19.4
写入速度,GB/s
10.9
16.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
4063
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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