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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
94
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
94
读取速度,GB/s
17.4
11.1
写入速度,GB/s
10.9
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1699
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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