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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
8.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3359
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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