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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
26
读取速度,GB/s
17.4
20.0
写入速度,GB/s
10.9
18.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
4005
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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