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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
76
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
76
读取速度,GB/s
13.6
15.1
写入速度,GB/s
8.4
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
1859
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
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