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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
31
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
22
读取速度,GB/s
17.4
17.0
写入速度,GB/s
10.9
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2942
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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