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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
31
左右 -29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
24
读取速度,GB/s
17.4
15.3
写入速度,GB/s
10.9
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2744
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5402-073.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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