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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.8
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.1
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
30
读取速度,GB/s
10.6
11.1
写入速度,GB/s
6.8
6.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1254
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
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